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三星宣布量产64层V-NAND闪存芯片: 传输速度达1Gbps

2017-07-09来源:互联网

IT之家6月15日消息,三星电子今天宣布,已经开始批量生产64层256Gb V-NAND闪存芯片,该闪存芯片将用于服务器,PC和移动设备。

三星在今年一月份开始为主要IT客户生产基于64层256Gb V-NAND芯片的业界首款SSD,64层V-NAND芯片也被认为是第四代V-NAND芯片,数据传输速度达1Gbps,具有业界最短的500微秒(?)的烧录器烧录单个芯片的时间(tPROG),比典型的10纳米(nm)级的平面NAND闪存快约四倍,比三星最快的48层3位256Gb V-NAND闪存的速度快了约1.5倍。

三星表示,与之前的48层256Gb V-NAND相比,新的64层256Gb 3-bit V-NAND提供了超过30%的生产率增益。此外,64层V-NAND的电路具有2.5V输入电压,与使用48层V-NAND的3.3伏相比,能量效率提高了约30%。此外,新的V-NAND电池的可靠性与前代相比也增加了约20%。

三星还表示,基于其64层V-NAND的成功,三星未来还将通过堆叠超过90层的单元阵列,以生产具有1Tb以上容量的V-NAND芯片。